SRM 2841 半导体薄膜：Alx镓1-xAs外延层(Al摩尔分数)x (接近0.20)

NIST SRM 2841半导体薄膜：AlxGa1-xAs外延层标准品旨在用作测量薄膜成分的分析方法的参考标准，例如电子微探针分析 (EMPA)、光致发光 (PL)、俄歇电子能谱 (AES) 和 X 射线光电子能谱（XPS）。 SRM 2841 的一个单元由 AlxGa1-xAs 外延层组成，在安装的砷化镓 (GaAs) 基板上生长经过认证的 Al 摩尔分数 x使用胶带粘贴到不锈钢圆盘上。每个单元都密封在含有氮气气氛的聚酯薄膜信封中。正确使用 SRM 作为比较标准取决于分析方法（参见“测量条件和程序”和 NIST 特别出版物 260-163 [1]）。

储存和搬运：

AlGaAs是一种稳定的化合物，但薄膜在储存和搬运过程中会受到表面污染和氧化。SRM应存放在无尘氮气环境中或温度低于50°C的真空下。在运输到分析系统或在分析系统中使用时偶然接触空气，直到接触时间超过数千小时，才发现会产生严重污染。SRM应由金属安装盘用干净的非金属镊子处理，不接触半导体区域。半导体表面的颗粒污染物可以用去离子水或干燥的氮气流去除，用户必须确认没有引入额外的污染物。用于将半导体安装到不锈钢盘上的胶带可溶于异丙醇、丙酮和其他有机溶剂，使用这些溶剂可能会导致粘合剂或胶带颗粒迁移到试样表面。试样表面的极端边缘应排除在分析之外。

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